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Référence Digi-Key SI1077X-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 14 315
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1077X-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V SC89-6
Description étendue P-Channel 20V 330mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1077X-T1-GE3
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Wafer Fab Addition 22/Jun/2015
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 31,1nC à 8V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 965pF à 10V
Vgs (Max) ±8V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 330mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 78 mOhms à 1,8A, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-89-6
Boîtier SOT-563, SOT-666
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1077X-T1-GE3CT

05:15:58 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,46000 0,46
10 0,37100 3,71
25 0,34000 8,50
100 0,25310 25,31
250 0,22936 57,34
500 0,18982 94,91
1 000 0,14236 142,36

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1077X-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 12 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,12669
  • Digi-Reel® ? : SI1077X-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 14 315 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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