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Référence Digi-Key SI1022R-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 13 122
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1022R-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A
Description étendue N-Channel 60V 330mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 15 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si1022R
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1577 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 330 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,6 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 30 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,25 Ohms à 500 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-75A
Boîtier SC-75A
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1022R-T1-GE3CT

00:21:38 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,45000 0,45
10 0,38700 3,87
25 0,36080 9,02
100 0,28870 28,87
250 0,26808 67,02
500 0,22684 113,42
1 000 0,17529 175,29

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1022R-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 9 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,15517
  • Digi-Reel® ? : SI1022R-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 13 122 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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