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Présentation des produits
Référence Digi-Key SI1013R-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 33 650
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1013R-T1-GE3

Description MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A
Description étendue P-Channel 20V 350mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Si1013R,X
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1580 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 350 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 450mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1,5nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±6V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 350mA, 4,5V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-75A
Boîtier SC-75A
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1013R-T1-GE3CT

07:50:43 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,41000 0,41
10 0,33500 3,35
25 0,30600 7,65
100 0,22780 22,78
250 0,20644 51,61
500 0,17082 85,41
1 000 0,12812 128,12

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1013R-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 33 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,11402
  • Digi-Reel® ? : SI1013R-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 33 650 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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