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Référence Digi-Key SI1012X-T1-GE3CT-ND
Quantité disponible 27 825
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SI1012X-T1-GE3

Description MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Description étendue N-Channel 20V 500mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SI1012R,X
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série TrenchFET®
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 500 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 900 mV à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,75 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds -
Vgs (max.) ±6V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 700 mOhms à 600 mA, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur SC-89-3
Boîtier SC-89, SOT-490
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms SI1012X-T1-GE3CT

00:50:25 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,40000 0,40
10 0,32600 3,26
25 0,29760 7,44
100 0,22150 22,15
250 0,20080 50,20
500 0,16616 83,08
1 000 0,12463 124,63

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : SI1012X-T1-GE3TR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 3 000
  • Quantité disponible: 27 000 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,11091
  • Digi-Reel® ? : SI1012X-T1-GE3DKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 27 825 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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