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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLI640GPBF-ND
Quantité disponible 1 464
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLI640GPBF

Description MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLI640G
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 5,9A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 66nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1800pF à 25V
Puissance max. 40W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Boîtier fournisseur TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRLI640GPBF

16:24:54 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,57000 2,57
10 2,31000 23,10
25 2,18360 54,59
100 1,89240 189,24
250 1,79532 448,83
500 1,61094 805,47
1 000 1,35863 1 358,63
2 500 1,29070 3 226,75
5 000 1,24218 6 210,88

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