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Référence Digi-Key IRLI640GPBF-ND
Quantité disponible 392
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLI640GPBF

Description MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Description étendue N-Channel 200V 9.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLI640G
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 40 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 5,9 A, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRLI640GPBF

08:02:42 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,55000 2,55
10 2,28600 22,86
25 2,16160 54,04
100 1,87340 187,34
250 1,77724 444,31
500 1,59472 797,36
1 000 1,34494 1 344,94
2 500 1,27770 3 194,25
5 000 1,22966 6 148,32

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