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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLD110PBF-ND
Quantité disponible 7 011
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLD110PBF

Description MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLD110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 600mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 6,1nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 250pF à 25V
Puissance max. 1,3W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRLD110PBF

10:47:51 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,78000 0,78
10 0,69800 6,98
25 0,66280 16,57
100 0,54450 54,45
250 0,50892 127,23
500 0,44976 224,88
1 000 0,35508 355,08
2 500 0,33140 828,51
5 000 0,31484 1 574,18

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