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Référence Digi-Key IRLD110PBF-ND
Quantité disponible 6 755
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLD110PBF

Description MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Description étendue N-Channel 100V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLD110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,1nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250pF à 25V
Vgs (max.) ±10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 600mA, 5V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRLD110PBF

06:20:49 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,71000 7,10
25 0,67440 16,86
100 0,55410 55,41
250 0,51796 129,49
500 0,45772 228,86
1 000 0,36136 361,36
2 500 0,33727 843,18
5 000 0,32041 1 602,05

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