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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRLD014PBF-ND
Quantité disponible 7 759
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRLD014PBF

Description MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRLD014
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 1A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,4nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 400pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRLD014PBF

04:16:36 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,82000 0,82
10 0,73200 7,32
25 0,69440 17,36
100 0,57050 57,05
250 0,53328 133,32
500 0,47126 235,63
1 000 0,37205 372,05
2 500 0,34725 868,12
5 000 0,32989 1 649,43

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