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Référence Digi-Key IRL620PBF-ND
Quantité disponible 1 834
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL620PBF

Description MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 5.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL620
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 360 pF à 25 V
Vgs (max.) ±10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 50 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 800 mOhms à 3,1 A, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL620PBF

13:42:09 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,54000 1,54
10 1,38300 13,83
25 1,30480 32,62
100 1,11160 111,16
250 1,04376 260,94
500 0,91330 456,65
1 000 0,75673 756,73
2 500 0,70454 1 761,36
5 000 0,67845 3 392,24

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