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Référence Digi-Key IRL510PBF-ND
Quantité disponible 1 030
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL510PBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL510
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,1 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250 pF à 25 V
Vgs (max.) ±10 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 43 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4 A, 5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL510PBF

07:18:52 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,14000 1,14
10 1,01800 10,18
25 0,96600 24,15
100 0,79330 79,33
250 0,74160 185,40
500 0,65538 327,69
1 000 0,51741 517,41
2 500 0,48291 1 207,28
5 000 0,45877 2 293,84

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