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Référence Digi-Key IRL510PBF-ND
Quantité disponible 1 852
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRL510PBF

Description MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Description étendue N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRL510
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6,1nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250pF à 25V
Vgs (max.) ±10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 43 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 3,4A, 5V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRL510PBF

16:03:59 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,10000 1,10
10 0,98600 9,86
25 0,93520 23,38
100 0,76820 76,82
250 0,71812 179,53
500 0,63462 317,31
1 000 0,50102 501,02
2 500 0,46762 1 169,04
5 000 0,44423 2 221,17

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