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Référence Digi-Key IRFU9110PBF-ND
Quantité disponible 1 357
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU9110PBF

Description MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
Description étendue P-Channel 100V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,7nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 200pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 1,9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 3 000
Autres Noms *IRFU9110PBF

12:36:58 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,46000 1,46
10 1,30200 13,02
25 1,23640 30,91
100 1,01550 101,55
250 0,94924 237,31
500 0,83886 419,43
1 000 0,66226 662,26
2 500 0,61811 1 545,28
5 000 0,58721 2 936,03

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