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Référence Digi-Key IRFU9110PBF-ND
Quantité disponible 1 333
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU9110PBF

Description MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
Description étendue P-Channel 100V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 1,9 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 3 000
Autres Noms *IRFU9110PBF

11:02:11 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,42000 1,42
10 1,26700 12,67
25 1,20240 30,06
100 0,98770 98,77
250 0,92332 230,83
500 0,81596 407,98
1 000 0,64418 644,18
2 500 0,60124 1 503,10
5 000 0,57118 2 855,88

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