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Référence Digi-Key IRFU210PBF-ND
Quantité disponible 1 938
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU210PBF

Description MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
Description étendue N-Channel 200V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,2 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 140 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 25 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 1,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU210PBF

17:57:17 3/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,16000 1,16
10 1,04100 10,41
25 0,98800 24,70
100 0,81160 81,16
250 0,75868 189,67
500 0,67044 335,22
1 000 0,52930 529,30
2 500 0,49402 1 235,04
5 000 0,46931 2 346,57

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