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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU210PBF-ND
Quantité disponible 1 938
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU210PBF

Description MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 1,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,2nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 140pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU210PBF

06:33:25 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,10000 1,10
10 0,99000 9,90
25 0,94000 23,50
100 0,77220 77,22
250 0,72184 180,46
500 0,63792 318,96
1 000 0,50362 503,62
2 500 0,47004 1 175,10
5 000 0,44654 2 232,69

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