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Référence Digi-Key IRFU120PBF-ND
Quantité disponible 2 299
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU120PBF

Description MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
Description étendue N-Channel 100V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 16nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 360pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5W (Ta), 42W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 4,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU120PBF

16:03:09 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,82000 0,82
10 0,71900 7,19
25 0,67520 16,88
100 0,55120 55,12
250 0,51200 128,00
500 0,43574 217,87
1 000 0,34860 348,60
2 500 0,31592 789,80
5 000 0,29413 1 470,65

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