Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU120PBF-ND
Quantité disponible 1 774
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU120PBF

Description MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
Description étendue N-Channel 100V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 360 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 4,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU120PBF

14:35:00 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,84000 0,84
10 0,74300 7,43
25 0,69760 17,44
100 0,56920 56,92
250 0,52876 132,19
500 0,45000 225,00
1 000 0,36000 360,00
2 500 0,32625 815,63
5 000 0,30375 1 518,76

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires