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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFU120PBF-ND
Quantité disponible 2 449
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU120PBF

Description MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 4,6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 16nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 360pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU120PBF

20:47:35 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,70600 7,06
25 0,66360 16,59
100 0,54160 54,16
250 0,50308 125,77
500 0,42816 214,08
1 000 0,34253 342,53
2 500 0,31042 776,06
5 000 0,28901 1 445,06

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