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Référence Digi-Key IRFU110PBF-ND
Quantité disponible 3 746
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFU110PBF

Description MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
Description étendue N-Channel 100V 4.3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFU110, SiHFU110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN IRFU/SIH 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,3 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 180 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 25 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 540 mOhms à 900 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-251AA
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms *IRFU110PBF

04:41:06 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,77000 0,77
10 0,69100 6,91
25 0,65600 16,40
100 0,53900 53,90
250 0,50380 125,95
500 0,44524 222,62
1 000 0,35150 351,50
2 500 0,32807 820,17
5 000 0,31166 1 558,32

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