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Référence Digi-Key IRFPG50PBF-ND
Quantité disponible 789
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFPG50PBF

Description MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 6.1A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFPG50, SiHFPG50
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 190 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 2 Ohms à 3,6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFPG50PBF

19:04:34 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,88000 3,88
10 3,48400 34,84
25 3,29360 82,34
100 2,85460 285,46
250 2,70820 677,05
500 2,43004 1 215,02
1 000 2,04944 2 049,44
2 500 1,94697 4 867,42

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