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Référence Digi-Key IRFPF50PBF-ND
Quantité disponible 966
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFPF50PBF

Description MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
Description étendue N-Channel 900V 6.7A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFPF50
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2900 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,6 Ohms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFPF50PBF

01:30:31 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,84000 4,84
10 4,34800 43,48
25 4,11000 102,75
100 3,56220 356,22
250 3,37956 844,89
500 3,03244 1 516,22
1 000 2,55749 2 557,49

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