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Référence Digi-Key IRFPE50PBF-ND
Quantité disponible 521
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFPE50PBF

Description MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Description étendue N-Channel 800V 7.8A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFPE50
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 200 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3100 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 4,7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFPE50PBF

19:14:03 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,20000 3,20
10 2,87300 28,73
25 2,71600 67,90
100 2,35400 235,40
250 2,23320 558,30
500 2,00386 1 001,93
1 000 1,69000 1 690,00
2 500 1,60550 4 013,76
5 000 1,54515 7 725,73

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