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Référence Digi-Key IRFP22N50APBF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IRFP22N50APBF

Description MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC
Description étendue N-Channel 500V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFP22N50A
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 120nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3450pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 277 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 230 mOhms à 13A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247-3
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 25
Autres Noms *IRFP22N50APBF

16:57:10 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,71000 3,71
10 3,33500 33,35
25 3,15320 78,83
100 2,73260 273,26
250 2,59240 648,10
500 2,32618 1 163,09
1 000 1,96183 1 961,83
2 500 1,86374 4 659,35
5 000 1,79367 8 968,37

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