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Référence Digi-Key IRFIBF30GPBF-ND
Quantité disponible 1 185
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIBF30GPBF

Description MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Description étendue N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIBF30G
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 35 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,7 Ohms à 1,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFIBF30GPBF

02:20:47 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,22000 3,22
10 2,88900 28,89
25 2,73080 68,27
100 2,36670 236,67
250 2,24532 561,33
500 2,01470 1 007,35
1 000 1,69915 1 699,15
2 500 1,61420 4 035,49
5 000 1,55351 7 767,55

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