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Référence Digi-Key IRFIBF30GPBF-ND
Quantité disponible 1 085
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIBF30GPBF

Description MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Description étendue N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIBF30G
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 35 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,7 Ohms à 1,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFIBF30GPBF

21:30:09 3/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,42000 3,42
10 3,06700 30,67
25 2,89920 72,48
100 2,51270 251,27
250 2,38384 595,96
500 2,13900 1 069,50
1 000 1,80398 1 803,98
2 500 1,71379 4 284,47

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