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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFIBF30GPBF-ND
Quantité disponible 1 235
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIBF30GPBF

Description MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIBF30G
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,7 Ohms à 1,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 78nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1200pF à 25V
Puissance max. 35W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Boîtier fournisseur TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFIBF30GPBF

16:19:42 12/8/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,25000 3,25
10 2,91800 29,18
25 2,75880 68,97
100 2,39080 239,08
250 2,26816 567,04
500 2,03520 1 017,60
1 000 1,71644 1 716,44
2 500 1,63062 4 076,55
5 000 1,56932 7 846,59

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