Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFIB7N50APBF-ND
Quantité disponible 1 315
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIB7N50APBF

Description MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Description étendue N-Channel 500V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIB7N50A,SiHFIB7N50A
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1423 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 520 mOhms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFIB7N50APBF

23:37:21 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,45000 2,45
10 2,20100 22,01
25 2,07640 51,91
100 1,76920 176,92
250 1,66124 415,31
500 1,45360 726,80
1 000 1,20441 1 204,41
2 500 1,12134 2 803,36

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires