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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFIB7N50APBF-ND
Quantité disponible 1 338
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIB7N50APBF

Description MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIB7N50A,SiHFIB7N50A
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 520 mOhms à 4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 52nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1423pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
Boîtier fournisseur TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFIB7N50APBF

18:37:04 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,33000 2,33
10 2,09500 20,95
25 1,97600 49,40
100 1,68330 168,33
250 1,58064 395,16
500 1,38306 691,53
1 000 1,14596 1 145,96
2 500 1,06693 2 667,32
5 000 1,02741 5 137,07

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