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Référence Digi-Key IRFIB7N50APBF-ND
Quantité disponible 1 338
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIB7N50APBF

Description MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220FP
Description étendue N-Channel 500V 6.6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIB7N50A,SiHFIB7N50A
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6,6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 52nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1423pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 520 mOhms à 4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFIB7N50APBF

03:33:59 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,37000 2,37
10 2,13200 21,32
25 2,01080 50,27
100 1,71310 171,31
250 1,60864 402,16
500 1,40754 703,77
1 000 1,16625 1 166,25
2 500 1,08582 2 714,55
5 000 1,04561 5 228,03

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