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Référence Digi-Key IRFIB6N60APBF-ND
Quantité disponible 921
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFIB6N60APBF

Description MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
Description étendue N-Channel 600V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFIB6N60A,SiHFIB6N60A
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 60 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 750 mOhms à 3,3A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3 boîtier complet, pastille isolée
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFIB6N60APBF

10:30:04 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,81000 3,81
10 3,42500 34,25
25 3,23720 80,93
100 2,80560 280,56
250 2,66168 665,42
500 2,38830 1 194,15
1 000 2,01424 2 014,24
2 500 1,91353 4 783,82
5 000 1,84159 9 207,94

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