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Référence Digi-Key IRFDC20PBF-ND
Quantité disponible 2 578
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFDC20PBF

Description MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 600V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFDC20
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 320mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 18nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,4 Ohms à 190mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFDC20PBF

22:31:32 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,06000 2,06
10 1,85700 18,57
25 1,75200 43,80
100 1,49240 149,24
250 1,40132 350,33
500 1,22614 613,07
1 000 1,01595 1 015,95
2 500 0,94588 2 364,71
5 000 0,91085 4 554,25

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