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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFDC20PBF-ND
Quantité disponible 2 582
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFDC20PBF

Description MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFDC20
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 320mA (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,4 Ohms à 190mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 18nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 350pF à 25V
Puissance max. 1W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFDC20PBF

03:05:43 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,03000 2,03
10 1,82500 18,25
25 1,72120 43,03
100 1,46640 146,64
250 1,37692 344,23
500 1,20482 602,41
1 000 0,99827 998,27
2 500 0,92942 2 323,56
5 000 0,89500 4 475,01

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