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Référence Digi-Key IRFDC20PBF-ND
Quantité disponible 2 578
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFDC20PBF

Description MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 600V 320mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFDC20
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 320 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 350 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,4 Ohms à 190 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFDC20PBF

13:05:33 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,01000 2,01
10 1,80700 18,07
25 1,70400 42,60
100 1,45170 145,17
250 1,36304 340,76
500 1,19268 596,34
1 000 0,98822 988,22
2 500 0,92006 2 300,16
5 000 0,88599 4 429,93

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