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Référence Digi-Key IRFD9220PBF-ND
Quantité disponible 871
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9220PBF

Description MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
Description étendue P-Channel 200V 560mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9220
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 560 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 340 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 340 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRFD9220PBF

06:01:38 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,14000 1,14
10 1,01800 10,18
25 0,96600 24,15
100 0,79330 79,33
250 0,74160 185,40
500 0,65538 327,69
1 000 0,51741 517,41
2 500 0,48291 1 207,28
5 000 0,45877 2 293,84

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