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Référence Digi-Key IRFD9220PBF-ND
Quantité disponible 871
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9220PBF

Description MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
Description étendue P-Channel 200V 560mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9220
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 560 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 340pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 340mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms *IRFD9220PBF

08:34:56 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,10000 1,10
10 0,98600 9,86
25 0,93520 23,38
100 0,76820 76,82
250 0,71812 179,53
500 0,63462 317,31
1 000 0,50102 501,02
2 500 0,46762 1 169,04
5 000 0,44423 2 221,17

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