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Référence Digi-Key IRFD9210PBF-ND
Quantité disponible 1 431
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9210PBF

Description MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
Description étendue P-Channel 200V 400mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9210
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 400 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,9 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 170 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 240 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD9210PBF

19:38:54 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,72000 0,72
10 0,62800 6,28
25 0,59040 14,76
100 0,48180 48,18
250 0,44756 111,89
500 0,38090 190,45
1 000 0,30473 304,73
2 500 0,27616 690,40
5 000 0,25711 1 285,57

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