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Référence Digi-Key IRFD9110PBF-ND
Quantité disponible 1 851
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9110PBF

Description MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-DIP
Description étendue P-Channel 100V 700mA (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9110
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 700 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 420 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD9110PBF

05:56:21 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,76000 0,76
10 0,66300 6,63
25 0,62200 15,55
100 0,50790 50,79
250 0,47168 117,92
500 0,40144 200,72
1 000 0,32116 321,16
2 500 0,29105 727,63
5 000 0,27098 1 354,89

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