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Référence Digi-Key IRFD9020PBF-ND
Quantité disponible 1 059
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9020PBF

Description MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-DIP
Description étendue P-Channel 60V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9020
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 1 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 570 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 280 mOhms à 960 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD9020PBF

16:28:23 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,22000 1,22
10 1,08500 10,85
25 1,02960 25,74
100 0,84580 84,58
250 0,79060 197,65
500 0,69870 349,35
1 000 0,55161 551,61
2 500 0,51483 1 287,08
5 000 0,48909 2 445,44

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