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Référence Digi-Key IRFD9010PBF-ND
Quantité disponible 5 506
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9010PBF

Description MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Description étendue P-Channel 50V 1.1A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9010, SiHFD9010
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,1A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 240pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 500 mOhms à 580mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD9010PBF

16:10:44 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,07000 1,07
10 0,94800 9,48
25 0,90040 22,51
100 0,73950 73,95
250 0,69128 172,82
500 0,61092 305,46
1 000 0,48230 482,30
2 500 0,45015 1 125,37
5 000 0,42764 2 138,19

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