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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFD9010PBF-ND
Quantité disponible 5 517
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD9010PBF

Description MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD9010, SiHFD9010
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 500 mOhms à 580mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 240pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD9010PBF

21:15:48 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,05000 1,05
10 0,93200 9,32
25 0,88480 22,12
100 0,72670 72,67
250 0,67924 169,81
500 0,60028 300,14
1 000 0,47391 473,91
2 500 0,44231 1 105,78
5 000 0,42020 2 100,99

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