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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFD420PBF-ND
Quantité disponible 2 500
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD420PBF

Description MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 500V 370mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD420
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 370 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 360 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 220 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD420PBF

10:49:28 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,65000 1,65
10 1,48400 14,84
25 1,40040 35,01
100 1,19310 119,31
250 1,12032 280,08
500 0,98028 490,14
1 000 0,81223 812,23
2 500 0,75622 1 890,54
5 000 0,72821 3 641,04

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