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Référence Digi-Key IRFD320PBF-ND
Quantité disponible 2 264
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD320PBF

Description MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 400V 490mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD320
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 490mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 410pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,8 Ohms à 210mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD320PBF

03:30:11 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,70000 1,70
10 1,52600 15,26
25 1,43960 35,99
100 1,22660 122,66
250 1,15176 287,94
500 1,00780 503,90
1 000 0,83503 835,03
2 500 0,77744 1 943,60
5 000 0,74864 3 743,22

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