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Référence Digi-Key IRFD220PBF-ND
Quantité disponible 1 479
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD220PBF

Description MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 200V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD220
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 14nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 260pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 800 mOhms à 480mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD220PBF

06:57:42 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,91000 0,91
10 0,81300 8,13
25 0,77120 19,28
100 0,63360 63,36
250 0,59224 148,06
500 0,52338 261,69
1 000 0,41319 413,19
2 500 0,38565 964,12
5 000 0,36637 1 831,83

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