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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFD220PBF-ND
Quantité disponible 1 583
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD220PBF

Description MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD220
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 800 mOhms à 480mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 14nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 260pF à 25V
Puissance max. 1W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD220PBF

14:56:07 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,90000 0,90
10 0,79900 7,99
25 0,75800 18,95
100 0,62250 62,25
250 0,58192 145,48
500 0,51428 257,14
1 000 0,40600 406,00
2 500 0,37894 947,34
5 000 0,35999 1 799,95

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