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Référence Digi-Key IRFD220PBF-ND
Quantité disponible 1 319
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD220PBF

Description MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 200V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD220
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800 mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 260 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 800 mOhms à 480 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD220PBF

20:58:55 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,89000 0,89
10 0,79100 7,91
25 0,75040 18,76
100 0,61630 61,63
250 0,57608 144,02
500 0,50910 254,55
1 000 0,40191 401,91
2 500 0,37512 937,80
5 000 0,35636 1 781,82

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