Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFD210PBF-ND
Quantité disponible 4 645
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD210PBF

Description MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD210
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 600mA (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 360mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,2nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 140pF à 25V
Puissance max. 1W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD210PBF

07:59:55 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,82000 0,82
10 0,73200 7,32
25 0,69440 17,36
100 0,57050 57,05
250 0,53328 133,32
500 0,47126 235,63
1 000 0,37205 372,05
2 500 0,34725 868,12
5 000 0,32989 1 649,43

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires