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Référence Digi-Key IRFD210PBF-ND
Quantité disponible 4 593
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD210PBF

Description MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Description étendue N-Channel 200V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD210
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 600mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 8,2nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 140pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 360mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD210PBF

09:21:37 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,84000 0,84
10 0,74500 7,45
25 0,70680 17,67
100 0,58060 58,06
250 0,54272 135,68
500 0,47962 239,81
1 000 0,37864 378,64
2 500 0,35340 883,50
5 000 0,33573 1 678,64

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