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Référence Digi-Key IRFD123PBF-ND
Quantité disponible 2 291
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD123PBF

Description MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Description étendue N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD123
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 360 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 780 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD123PBF

22:38:42 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,23000 1,23
10 1,10200 11,02
25 1,04560 26,14
100 0,85890 85,89
250 0,80288 200,72
500 0,70954 354,77
1 000 0,56016 560,16
2 500 0,52282 1 307,04
5 000 0,49668 2 483,38

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