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Référence Digi-Key IRFD123PBF-ND
Quantité disponible 2 291
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD123PBF

Description MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
Description étendue N-Channel 100V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD123
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 16nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 360pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 270 mOhms à 780mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD123PBF

15:39:56 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,27000 1,27
10 1,13300 11,33
25 1,07480 26,87
100 0,88300 88,30
250 0,82544 206,36
500 0,72944 364,72
1 000 0,57588 575,88
2 500 0,53749 1 343,72
5 000 0,51061 2 553,07

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