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Référence Digi-Key IRFD014PBF-ND
Quantité disponible 2 667
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD014PBF

Description MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Description étendue N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD014
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 310pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD014PBF

13:50:16 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,82000 0,82
10 0,71900 7,19
25 0,67520 16,88
100 0,55120 55,12
250 0,51200 128,00
500 0,43574 217,87
1 000 0,34860 348,60
2 500 0,31592 789,80
5 000 0,29413 1 470,65

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