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Référence Digi-Key IRFD014PBF-ND
Quantité disponible 2 625
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD014PBF

Description MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Description étendue N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD014
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 310 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,3 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD014PBF

03:30:21 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,79000 0,79
10 0,69900 6,99
25 0,65680 16,42
100 0,53620 53,62
250 0,49800 124,50
500 0,42386 211,93
1 000 0,33908 339,08
2 500 0,30730 768,24
5 000 0,28610 1 430,51

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