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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFD014PBF-ND
Quantité disponible 2 677
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD014PBF

Description MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD014
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 310pF à 25V
Puissance max. 1,3W
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD014PBF

06:05:28 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,70600 7,06
25 0,66360 16,59
100 0,54160 54,16
250 0,50308 125,77
500 0,42816 214,08
1 000 0,34253 342,53
2 500 0,31042 776,06
5 000 0,28901 1 445,06

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