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Référence Digi-Key IRFD010PBF-ND
Quantité disponible 1 080
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD010PBF

Description MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Description étendue N-Channel 50V 1.7A (Tc) 1W (Tc) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD010, IRFD012
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 250 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 860 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD010PBF

06:22:33 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,31000 1,31
10 1,17000 11,70
25 1,11000 27,75
100 0,91190 91,19
250 0,85244 213,11
500 0,75332 376,66
1 000 0,59472 594,72
2 500 0,55507 1 387,68
5 000 0,52732 2 636,59

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