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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFD010PBF-ND
Quantité disponible 1 187
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFD010PBF

Description MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFD010, IRFD012
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 50V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 200 mOhms à 860mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 250pF à 25V
Puissance max. 1W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier 4-DIP (0,300 po, 7,62 mm)
Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 2 500
Autres Noms *IRFD010PBF

03:37:31 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,24000 1,24
10 1,11300 11,13
25 1,05640 26,41
100 0,86770 86,77
250 0,81108 202,77
500 0,71676 358,38
1 000 0,56586 565,86
2 500 0,52814 1 320,34
5 000 0,50173 2 508,65

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