Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFBG20PBF-ND
Quantité disponible 3 317
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBG20PBF

Description MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
Description étendue N-Channel 1000V (1kV) 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBG20,SiHFBG20
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 1000V (1kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 500 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 54 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 11 Ohms à 840 mA, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBG20PBF

09:57:43 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,29000 1,29
10 1,15400 11,54
25 1,09520 27,38
100 0,89970 89,97
250 0,84104 210,26
500 0,74324 371,62
1 000 0,58677 586,77
2 500 0,54765 1 369,12
5 000 0,52027 2 601,34

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires