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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFBF20LPBF-ND
Quantité disponible 1 995
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBF20LPBF

Description MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Description étendue N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 38nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 490pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1W (Ta), 54W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8 Ohms à 1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I2PAK
Boîtier TO-262-3, broches longues, I²Pak, TO-262AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFBF20LPBF

05:36:08 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,27000 2,27
10 2,03200 20,32
25 1,91720 47,93
100 1,63350 163,35
250 1,53376 383,44
500 1,34204 671,02
1 000 1,11198 1 111,98
2 500 1,03529 2 588,23
5 000 0,99694 4 984,72

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