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Référence Digi-Key IRFBF20LPBF-ND
Quantité disponible 1 995
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBF20LPBF

Description MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
Description étendue N-Channel 900V 1.7A (Tc) 3.1W (Ta), 54W (Tc) Through Hole I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBF20S,L, SiHFBF20S,L
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 900V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 490 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1 W (Ta), 54 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 8 Ohms à 1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I2PAK
Boîtier TO-262-3, broches longues, I²Pak, TO-262AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFBF20LPBF

21:14:03 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,33000 2,33
10 2,09900 20,99
25 1,97960 49,49
100 1,68690 168,69
250 1,58396 395,99
500 1,38594 692,97
1 000 1,14836 1 148,36
2 500 1,06916 2 672,90

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