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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFBE30PBF-ND
Quantité disponible 8 732
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBE30PBF

Description MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBE30
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 78nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1300pF à 25V
Puissance max. 125W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBE30PBF

18:53:38 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,43000 1,43
10 1,28500 12,85
25 1,21200 30,30
100 1,03250 103,25
250 0,96952 242,38
500 0,84832 424,16
1 000 0,70289 702,89
2 500 0,65442 1 636,04
5 000 0,63018 3 150,90

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