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Référence Digi-Key IRFBE30PBF-ND
Quantité disponible 8 510
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBE30PBF

Description MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Description étendue N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBE30
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 2,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBE30PBF

13:06:00 3/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,50000 1,50
10 1,35000 13,50
25 1,27360 31,84
100 1,08520 108,52
250 1,01896 254,74
500 0,89158 445,79
1 000 0,73875 738,75
2 500 0,68780 1 719,49
5 000 0,66232 3 311,60

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