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Référence Digi-Key IRFBE30PBF-ND
Quantité disponible 8 619
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFBE30PBF

Description MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB
Description étendue N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFBE30
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 2,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRFBE30PBF

11:58:40 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,46000 1,46
10 1,30700 13,07
25 1,23360 30,84
100 1,05080 105,08
250 0,98668 246,67
500 0,86334 431,67
1 000 0,71534 715,34
2 500 0,66600 1 665,01
5 000 0,64134 3 206,69

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