Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRFB9N65APBF-ND
Quantité disponible 1 000
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB9N65APBF

Description MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB9N65A
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1417 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 167 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 930 mOhms à 5,1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFB9N65APBF

14:44:01 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,53000 2,53
10 2,27300 22,73
25 2,14880 53,72
100 1,86240 186,24
250 1,76688 441,72
500 1,58542 792,71
1 000 1,33710 1 337,10
2 500 1,27025 3 175,62
5 000 1,22249 6 112,47

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires