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Référence Digi-Key IRFB9N65APBF-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB9N65APBF

Description MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB9N65A
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1417pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 167 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 930 mOhms à 5,1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFB9N65APBF

10:52:34 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,60000 2,60
10 2,33700 23,37
25 2,20920 55,23
100 1,91470 191,47
250 1,81648 454,12
500 1,62992 814,96
1 000 1,37463 1 374,63
2 500 1,30590 3 264,74
5 000 1,25680 6 284,00

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