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Référence Digi-Key IRFB13N50APBF-ND
Quantité disponible 271
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB13N50APBF

Description MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 14A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB13N50A
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1910 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 8,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFB13N50APBF

23:05:33 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,11000 3,11
10 2,79300 27,93
25 2,64040 66,01
100 2,28840 228,84
250 2,17104 542,76
500 1,94806 974,03
1 000 1,64295 1 642,95
2 500 1,56080 3 902,01
5 000 1,50213 7 510,63

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