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Référence Digi-Key IRFB13N50APBF-ND
Quantité disponible 241
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRFB13N50APBF

Description MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 14A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRFB13N50A
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Assembly Site Add 13/Jan/2017
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1910 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 8,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000
Autres Noms *IRFB13N50APBF

21:13:29 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,30000 3,30
10 2,96500 29,65
25 2,80320 70,08
100 2,42960 242,96
250 2,30500 576,25
500 2,06826 1 034,13
1 000 1,74431 1 744,31
2 500 1,65710 4 142,74

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