Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF9610PBF-ND
Quantité disponible 1 670
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF9610PBF

Description MOSFET P-CH 200V 1.8A TO-220AB
Description étendue P-Channel 200V 1.8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF9610
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 11nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 170pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3 Ohms à 900mA, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF9610PBF

09:13:59 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,31000 1,31
10 1,16300 11,63
25 1,10440 27,61
100 0,90730 90,73
250 0,84812 212,03
500 0,74950 374,75
1 000 0,59172 591,72
2 500 0,55227 1 380,67
5 000 0,52466 2 623,28

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires