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Référence Digi-Key IRF9510PBF-ND
Quantité disponible 4 448
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF9510PBF

Description MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
Description étendue P-Channel 100V 4A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF9510PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 43 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,2 Ohms à 2,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF9510PBF

00:31:24 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,79000 0,79
10 0,69900 6,99
25 0,65680 16,42
100 0,53620 53,62
250 0,49800 124,50
500 0,42386 211,93
1 000 0,33908 339,08
2 500 0,30730 768,24
5 000 0,28610 1 430,51

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