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Référence Digi-Key IRF840PBF-ND
Quantité disponible 2 729
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF840PBF

Description MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF840, SiHF840
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 63 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 850 mOhms à 4,8 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF840PBF

09:59:28 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,45000 1,45
10 1,29500 12,95
25 1,22960 30,74
100 1,00990 100,99
250 0,94408 236,02
500 0,83428 417,14
1 000 0,65866 658,66
2 500 0,61474 1 536,86
5 000 0,58401 2 920,03

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