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Référence Digi-Key IRF840PBF-ND
Quantité disponible 5 236
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF840PBF

Description MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF840, SiHF840
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 63nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1300pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 850 mOhms à 4,8A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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  • Prix unitaire 0,46000
  • 160-1300-5-ND
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF840PBF

09:26:01 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,40000 1,40
10 1,25400 12,54
25 1,19040 29,76
100 0,97790 97,79
250 0,91416 228,54
500 0,80786 403,93
1 000 0,63779 637,79
2 500 0,59527 1 488,17
5 000 0,56550 2 827,52

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