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Référence Digi-Key IRF830PBF-ND
Quantité disponible 6 981
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF830PBF

Description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF830PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 610 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 2,7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF830PBF

19:58:32 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,06000 1,06
10 0,94400 9,44
25 0,89640 22,41
100 0,73630 73,63
250 0,68832 172,08
500 0,60830 304,15
1 000 0,48024 480,24
2 500 0,44822 1 120,56
5 000 0,42581 2 129,05

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