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Référence Digi-Key IRF830PBF-ND
Quantité disponible 7 644
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF830PBF

Description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF830PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Categories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 38nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 610pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 2,7A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF830PBF

09:16:23 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,03000 1,03
10 0,91500 9,15
25 0,86800 21,70
100 0,71300 71,30
250 0,66652 166,63
500 0,58902 294,51
1 000 0,46502 465,02
2 500 0,43402 1 085,05
5 000 0,41232 2 061,60

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