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Référence Digi-Key IRF830PBF-ND
Quantité disponible 7 301
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF830PBF

Description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 4.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF830PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 610 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 2,7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF830PBF

14:38:16 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,00000 1,00
10 0,89000 8,90
25 0,84440 21,11
100 0,69360 69,36
250 0,64832 162,08
500 0,57296 286,48
1 000 0,45233 452,33
2 500 0,42217 1 055,43
5 000 0,40107 2 005,33

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