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Référence Digi-Key IRF830APBF-ND
Quantité disponible 2 395
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF830APBF

Description MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 500V 5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF830A,SiHF830A
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 500V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 24 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 620 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,4 Ohms à 3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF830APBF

02:10:10 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,17000 1,17
10 1,05000 10,50
25 0,99640 24,91
100 0,81840 81,84
250 0,76504 191,26
500 0,67610 338,05
1 000 0,53377 533,77
2 500 0,49818 1 245,45
5 000 0,47327 2 366,34

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