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Référence Digi-Key IRF740ALPBF-ND
Quantité disponible 1 813
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF740ALPBF

Description MOSFET N-CH 400V 10A TO-262
Description étendue N-Channel 400V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF740ASPBF, ALPBF
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1445 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1030pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1 W (Ta), 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 550 mOhms à 6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I2PAK
Boîtier TO-262-3, broches longues, I²Pak, TO-262AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF740ALPBF

19:47:18 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,51000 2,51
10 2,25100 22,51
25 2,12360 53,09
100 1,80930 180,93
250 1,69884 424,71
500 1,48650 743,25
1 000 1,23166 1 231,66
2 500 1,14672 2 866,81
5 000 1,10425 5 521,25

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