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Référence Digi-Key IRF730PBF-ND
Quantité disponible 5 504
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF730PBF

Description MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
Description étendue N-Channel 400V 5.5A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques Packaging Information
IRF730,SiHF730
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 38nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1 Ohms à 3,3A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF730PBF

14:31:47 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,13000 1,13
10 1,01600 10,16
25 0,96480 24,12
100 0,79250 79,25
250 0,74080 185,20
500 0,65468 327,34
1 000 0,51685 516,85
2 500 0,48240 1 205,99
5 000 0,45828 2 291,38

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