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Référence Digi-Key IRF710PBF-ND
Quantité disponible 1 879
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF710PBF

Description MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB
Description étendue N-Channel 400V 2A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF710PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 400V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 170 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 36 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,6 Ohms à 1,2 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF710PBF

03:29:25 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,84000 0,84
10 0,74300 7,43
25 0,69760 17,44
100 0,56920 56,92
250 0,52876 132,19
500 0,45000 225,00
1 000 0,36000 360,00
2 500 0,32625 815,63
5 000 0,30375 1 518,76

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