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Référence Digi-Key IRF644PBF-ND
Quantité disponible 1 985
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF644PBF

Description MOSFET N-CH 250V 14A TO-220AB
Description étendue N-Channel 250V 14A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF644
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 68 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 280 mOhms à 8,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF644PBF

22:02:51 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,29000 1,29
10 1,15500 11,55
25 1,09600 27,40
100 0,90050 90,05
250 0,84180 210,45
500 0,74390 371,95
1 000 0,58729 587,29
2 500 0,54814 1 370,34
5 000 0,52073 2 603,64

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