Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF640SPBF-ND
Quantité disponible 1 335
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640SPBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1 W (Ta), 130 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

12:37:11 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,54000 1,54
10 1,38400 13,84
25 1,30560 32,64
100 1,11260 111,26
250 1,04476 261,19
500 0,91414 457,07
1 000 0,75743 757,43
2 500 0,70519 1 762,98
5 000 0,67907 3 395,36

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires