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Référence Digi-Key IRF640SPBF-ND
Quantité disponible 1 356
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640SPBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 70nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1300pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1W (Ta), 130W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

13:28:46 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,49000 1,49
10 1,34100 13,41
25 1,26480 31,62
100 1,07740 107,74
250 1,01164 252,91
500 0,88518 442,59
1 000 0,73343 733,43
2 500 0,68285 1 707,13
5 000 0,65756 3 287,79

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