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Référence Digi-Key IRF640SPBF-ND
Quantité disponible 1 354
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640SPBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Description étendue N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1300 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,1 W (Ta), 130 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur D2PAK
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches + languette), TO-263AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

09:38:42 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,45000 1,45
10 1,30400 13,04
25 1,23000 30,75
100 1,04800 104,80
250 0,98400 246,00
500 0,86102 430,51
1 000 0,71341 713,41
2 500 0,66421 1 660,53
5 000 0,63961 3 198,05

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