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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF640SPBF-ND
Quantité disponible 1 356
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640SPBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640S(L)/SIHF640S(L)
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN Additional Assembly Site 21/Oct/2016
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 70nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1300pF à 25V
Puissance max. 130W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier TO-263-3, D²Pak (2 broches+languette), TO-263AB
Boîtier fournisseur D2PAK
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50

22:51:14 12/4/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,46000 1,46
10 1,31800 13,18
25 1,24280 31,07
100 1,05860 105,86
250 0,99404 248,51
500 0,86978 434,89
1 000 0,72067 720,67
2 500 0,67097 1 677,43
5 000 0,64612 3 230,59

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