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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF640PBF-ND
Quantité disponible 1 202
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF640PBF

Description MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF640, SiHF640
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN SIL-099-2014-Rev-0 12/Nov/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 180 mOhms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 70nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1300pF à 25V
Puissance max. 125W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF640PBF

06:19:00 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,41000 1,41
10 1,26600 12,66
25 1,20160 30,04
100 0,98700 98,70
250 0,92256 230,64
500 0,81530 407,65
1 000 0,64367 643,67
2 500 0,60076 1 501,89
5 000 0,57072 2 853,58

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