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Référence Digi-Key IRF630PBF-ND
Quantité disponible 8 127
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630PBF

Description MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 5,4A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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  • Prix unitaire 0,15000
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF630PBF

22:45:06 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,99000 0,99
10 0,88300 8,83
25 0,83840 20,96
100 0,68880 68,88
250 0,64384 160,96
500 0,56896 284,48
1 000 0,44919 449,19
2 500 0,41924 1 048,10
5 000 0,39828 1 991,39

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