Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF630PBF-ND
Quantité disponible 7 645
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630PBF

Description MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Description étendue N-Channel 200V 9A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis Ultra Librarian
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 74 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 5,4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF630PBF

00:55:15 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,96000 0,96
10 0,85900 8,59
25 0,81560 20,39
100 0,67000 67,00
250 0,62624 156,56
500 0,55344 276,72
1 000 0,43692 436,92
2 500 0,40780 1 019,49
5 000 0,38741 1 937,03

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires