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Présentation des produits
Référence Digi-Key IRF630PBF-ND
Quantité disponible 8 491
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630PBF

Description MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630PBF
Packaging Information
Fichier vidéo MOSFET Technologies for Power Conversion
Assemblage/origine PCN PCN-SIL-0102014 Rev 0 23/May/2014
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1444 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Vishay Siliconix

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 5,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 800pF à 25V
Puissance max. 74W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms *IRF630PBF

08:46:06 12/7/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,97000 0,97
10 0,86800 8,68
25 0,82400 20,60
100 0,67680 67,68
250 0,63264 158,16
500 0,55906 279,53
1 000 0,44137 441,37
2 500 0,41195 1 029,87
5 000 0,39135 1 956,74

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